完成后，安華高科技總裁兼CEO霍克·譚將擔(dān)任新公司總裁兼CEO。新公司名稱(chēng)已被定為“Broadcom Limited”。博通聯(lián)合創(chuàng)始人、CTO兼董事長(zhǎng)亨利·薩繆里和博通的另一位董事將加入新公司董事會(huì)。此外，薩繆里還將出任新公司CTO。博通另一位聯(lián)合創(chuàng)始人亨利·尼古拉斯(Henry Nicholas)將主任戰(zhàn)略顧問(wèn)，向霍克·譚匯報(bào)工作。

　　安華高科技的前身是惠普公司的半導(dǎo)體部門(mén)，總部設(shè)在美國(guó)加州圣何塞市和新加坡，其生產(chǎn)芯片用于無(wú)線通信和企業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。該公司報(bào)告，在截止2014年11月2日的一年中，其銷(xiāo)售額為43億美元。 受合并消息影響，博通股價(jià)周三收于57.15美元，較上一日上漲21.45%，安華高科技收于141.49美元，較上一日上漲7.76%。

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　　同時(shí)，IGBT等功率半導(dǎo)體是逆變器實(shí)現(xiàn)直流轉(zhuǎn)交流的關(guān)鍵所在，在逆變器成本中約占據(jù)13%的價(jià)值。IGBT 和MOSFET 等電力電子開(kāi)關(guān)器件的高頻率開(kāi)合特性是逆變器實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)交流電這一基礎(chǔ)功能的基礎(chǔ)。

　　逆變器生產(chǎn)所需原材料主要包括電子元器件、機(jī)構(gòu)件以及輔助材料，其中電子元器件包括功率半導(dǎo)體、集成電路、電感磁性元器件、PCB 線路板、電容、開(kāi)關(guān)器件、連接器等，機(jī)構(gòu)件主要為壓鑄件、鈑金件等，輔助材料主要包括塑膠件等絕緣材料。根據(jù)固德威招股說(shuō)明書(shū)披露，機(jī)構(gòu)件、電感、IGBT 功率器件為3 大核心耗材，占據(jù)近60%的成本，其中IGBT 功率器件占據(jù)約13%，位列第三。

　　光伏逆變器IGBT需求：根據(jù)測(cè)算，我們預(yù)估2026 年全球光伏IGBT 市場(chǎng)需求將從2020 年的28.3 億元提升至63.5 億元。若假設(shè)國(guó)內(nèi)廠商能拿到65%的市場(chǎng)份額，則國(guó)內(nèi)光伏IGBT 需求將從2020 年的18.4 億元提升至2026 年的41.3 億元，CAGR達(dá)到14.4%。

　　四、功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局

　　未來(lái)國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體無(wú)論是二極管/晶閘管，還是MOSFET，乃至難度更高的IGBT，市場(chǎng)份額均有望顯著提升，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)替代。